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为进一步加强光伏制造行业管理，促进产业转型升级，推动光伏行业技术进步和市场应用，根据国家有关法律法规、产业政策和行业规划，工业和信息化部组织协会、专家、企业对原《光伏制造行业规范条件》进行了修订，形成《光伏制造行业规范条件（2015年本）》（征求意见稿），现公开征求意见。
（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求： 1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1级品的要求； 2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2μs，碳、氧含量分别小于16和14PPMA；单晶硅片少子寿命大于10μs，碳、氧含量分别小于2和18PPMA； 3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于17.5%和18.5%； 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于15.5%和16%； 5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%、10%。 6.含变压器型的并网光伏逆变器中国加权效率不得低于96%，不含变压器型的并网光伏逆变器中国加权效率不得低于98%。 （三）光伏制造项目生产水耗应满足以下要求： 1.多晶硅项目水循环利用率不低于95%； 2.硅片项目水耗低于1400吨/百万片； 3.电池项目水耗低于1700吨/MWp。 （四）其他生产单耗需满足国家相关标准。 （五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求： 1.多晶硅满足《硅多晶》（GB/T12963）2级品以上要求； 2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2.5μs，碳、氧含量分别小于8和6PPMA；单晶硅片少子寿命大于11μs，碳、氧含量分别小于1和16PPMA； 3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于18.5%和20%； 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%； 5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、13%、13%、12%。 （六）多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在1年内分别不高于2.5%和3%，25年内不高于20%；薄膜电池组件衰减率在1年内不高于5%，25年内不高于20%。 三、资源综合利用及能耗 （一）光伏制造企业和项目用地应符合国家已出台的土地使用标准，严格保护耕地，节约集约用地。 （二）光伏制造项目能耗应满足以下要求： 1.现有多晶硅项目还原电耗小于65千瓦时/千克，综合电耗小于120千瓦时/千克；新建和改扩建项目还原电耗小于55千瓦时/千克，综合电耗小于100千瓦时/千克； 2.现有硅锭项目平均综合能耗小于8.5千瓦时/千克，新建和改扩建项目小于7千瓦时/千克；如采用多晶铸锭炉生产准单晶或高效多晶产品，项目平均综合能耗的增加幅度不得超过0.5千瓦时/千克； 3.现有硅棒项目平均综合能耗小于45千瓦时/千克，新建和改扩建项目小于40千瓦时/千克； 4.现有多晶硅片项目平均综合能耗小于45万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于40万千瓦时/百万片；现有单晶硅片项目平均综合耗小于40万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于35万千瓦时/百万片； 5.电池项目平均综合能耗小于12万千瓦时/MWp； 6.晶硅电池组件项目平均综合能耗小于6万千瓦时/MWp；薄膜电池组件项目平均能耗小于50万千瓦时/MWp。 |
