（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：
　　1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1级品的要求；
　　2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2μs，电阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分别小于16和18PPMA；单晶硅3片少子寿命大于10μs，电阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分别小于10和18PPMA；
　　3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%；
　　4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%；
　　5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于 8%、10%、11%、10%。

　　（五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：

　　1.多晶硅满足《硅多晶》（GB/T12963）2 级品以上要求；

　　2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2.5μs，电阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分别小于8和6PPMA；单晶硅片少子寿命大于11μs，电阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分别小于8和6PPMA；

　　3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于18%和20%；

　　4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%；

　　5.硅基、CIGS、CdTe 及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13%、12%。

　　（六）多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在2年内分别不高于3.2%和4.2%，25年内不高于20%；薄膜电池组件衰减率在2年内不高于5%，25年内不高于 20%。

　　三、资源综合利用及能耗

　　（一）光伏制造企业和项目用地应符合国家已出台的土地使用标准，严格保护耕地，节约集约用地。

　　（二）光伏制造项目能耗应满足以下要求：

　　1.现有多晶硅项目还原电耗小于80千瓦时/千克，综合电耗小于140千瓦时/千克；新建和改扩建项目还原电耗小于60千瓦时/千克，综合电耗小于100千瓦时/千克；