UNSW(新南威尔士大学)认为(光致)再生过程的机理在于促使P型硅中存在的H+转化为H0，H0可以钝化BO+缺陷乃至金属离子如Fei+、Cri+，商业化的光致再生设备因需要高生产速率，因此需要利用到高强度的光照(如激光)以在几秒钟内完成再生过程。如下报告列举了5家提供光致再生(LIR，Lightinduecdregeneration)设备的企业，其设备均有很好的处理效果。

国内的晶宝、时创、昊建等均开发了电注入(电致再生)设备，不同于光注入设备需要在电池端与在线生产，电注入设备可以离线布置在电池端或组件端，多个电池片堆叠通电处理，在制造端也得到了大规模的应用。

另外，掺Ga的P型硅与掺磷的N型硅则可以根本上杜绝了“B-O”衰减，也可以解决单晶PERC技术的光衰风险。因此单晶PERC技术规模应用在理论上不存在问题，却对硅片品质与电池技术提出了更高的要求，光伏电站投资者需要选择技术可靠的供应商以避免风险。

3.多晶PERC光衰与LeTID

根据以下2012年的研究，低氧与掺Ga均无法解决多晶PERC电池的光衰问题，并展示了不同温度下测试光衰的差别，75oC下的光衰明显高于25oC的结果，而75oC是组件户外工作时可能出现的温度。

因此Q-Cells在15年命名的LeTID(Light andelevated Temperature Induced Degradation，光与升温导致的衰减)并不是一个新的概念，不少文献还是坚持使用LIDinmc-silicon(多晶光衰)来描述同一现象。Q-Cells发现多晶PERC电池的开路电压衰减在95oC高载流子注入的情况下在800小时后恢复至约99%，表明了多晶PERC电池再生态处理理论上的可行性，但由于耗时非常久，产业化付出的成本就会很高。