近日，三家企业联手通过在价格相对低廉的箔片上培养晶体硅来降低硅片锯切过程中引起的浪费。NREL同能源部奥克里季国家实验室(ORNL)以及c-Si薄膜技术企业Ampulse建立了合作伙伴关系，目的是降低太阳能电池板的成本。
　　这个组合将应用化学蒸汽分解(CVD)流程在ORNL开发的金属箔片上培养薄层高质量硅。Ampulse将设计一个全规模生产线，支持长卷金属箔片的使用，以确保此项技术的成本效益。此生产线将安装在NREL的流程开发一体化实验室(PDIL)中。
　　据了解，现今的c-Si技术生产流程容易导致巨大的浪费，几乎一半的精加工硅在硅片锯切中化为灰尘而浪费。另外，硅片锯切流程是从两米长的硅上裁剪下6,000块硅片。以这种方式裁剪下的硅片通常必须达到所需厚度的十倍，才能最大程度的将阳光转化为电力。
　　Ampulse流程则不需要创造供料，而是直接在箔片底层上使用硅烷培养所需数量的硅。
　　NREL的PDIL运营经理Brent Nelson表示：“这个流程直接从纯含硅气体直接到优质晶体硅薄膜。其中的优势就是能够得到理想的厚度，10微米或更小.”