叠层电池中微晶硅层的生长速率和质量会显著影响电池的成本，为了降低微晶硅薄膜电池的成本，必须提高微晶硅的沉积速率，目前在保证电池质量的前提下，采用pecvd技术所能达到的微晶硅沉积速率一般为5a/s，采用hwcvd微晶硅的沉积速率一般为1a／s左右，而叠层电池中微晶硅层的厚度较厚，一般为1～2µm，因此可以推断采用pecvd技术仅沉积微晶硅层就需要34～68min，这严重地影响了电池制备的节拍时间，而且薄膜硅电池整个生产线的节拍时间是由硅薄膜沉积这个工序决定的，因为这段工序所需要的时间最长，因此微晶硅的沉积速率最终影响到了整个产线的节拍时间。
　　目前国内对于微晶硅快速生长的研究仅在南开大学、郑州大学、南京大学等开展，且产业化的开发还未开始，因此需要进行微晶硅快速生长的研究，以获得更高生长效率的微晶硅层。
　　因此对于微晶硅高速沉积技术的研究是比较重要的课题方向，研究的内容主要是通过调节电极间辉光放电的频率和功率、电极距离、气体的比例、气体的压力、气体的流量等参数以获得高质量、高沉积速率的微晶硅薄膜，最终缩短微晶硅层的沉积时间。